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设备受限 台积电预计EUV应用于5nm制程

时间:2018-08-19 18:20来源:网络整理 作者:采集侠 点击:
在一段相当长的时间里面,台积电一直致力于讨论使用EUV极紫外光刻技术应用于10nm制程的芯片制作上,但……来源:
【中国电子网】讯

  在一段相当长的时间里面,台积电一直致力于讨论使用EUV极紫外光刻技术应用于10nm制程的芯片制作上,但由于对应的扫描光刻设备的准备不足,至少在一两年期间内将无法利用EUV技术应用到实际的芯片制造之中,所以台积电目前打算将EUV的应用是现在未来4到5年之后的5nm制程上。

  超紫外线光刻技术的扫描光刻设备配备了带为13.5nm波长的激光,在基板进行“画”芯片的过程中拥有非常精细的特点,能解决目前正在使用的光刻工具许多具备挑战性的技术难关,特别是EUV能进行多模式刻画能减少时间周期,有助于提升工艺制作的芯片产量。

  光刻系统供应商荷兰ASML正在与台积电和其他芯片制造商准备全新的EUV扫描光刻设备,而台积电计划在2017~2018年试验应用在7nm制造工艺上,让后再在商用于5nm制造工艺。目前台积电预计开始批量生产的芯片使用7 nm制程技术会在2018年上半年。公司考虑如何积极打算引进新的制造工艺,EUV的应用可能在2018-2019开始试生产使用在5nm制程芯片。

(责任编辑:admin)
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