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全球新式存储器大战 台控制芯片厂不缺席

时间:2018-08-19 18:16来源:网络整理 作者:采集侠 点击:
美光(Micron)与英特尔(Intel)合作非挥发性存储器(NVM)新技术3DXPoint,可取代既有DRAM和NANDFlash芯片……来源:Digitimes 作者
【中国电子网】讯

  美光(Micron)与英特尔(Intel)合作非挥发性存储器(NVM)新技术3D XPoint,可取代既有DRAM和NAND Flash芯片,业界传出该技术不仅将导入固态硬碟(SSD),台系NAND Flash控制芯片业者慧荣更已加入3D XPoint计划,成为首家控制芯片供应商,2016年抢先导入SSD。不过,相关消息仍待慧荣正式对外宣布。

  存储器业者表示,包括美光和英特尔的IM Flash阵营对于3D XPoint技术并未揭露太多资讯,业界推测可能是一种称为可变电阻式存储器(ReRAM)的新式NVM,采用新材料提升NAND Flash速度及密度,并降低延迟,相对于磁电阻式随机存取存储器(MRAM)、变相式存储器(PCM)等新式存储器, 目前ReRAM技术较容易商用化,投入研发的半导体厂亦相当多。

  尽管ReRAM商用化时程越来越近,但IM Flash阵营3D XPoint技术将在2016年导入终端产品量产,并应用在SSD领域,却令业者十分意外。存储器业者认为,3D XPoint技术应会先用于特殊型SSD应用领域,短期内还不会取代既有DRAM和NAND Flash芯片,且若是采用新材料,包括芯片稳定度、可靠度及良率等都需要再观察。

  值得注意的是,业界传出台系NAND Flash控制芯片业者慧荣已加入3D XPoint计划,将研发支援3D XPoint的控制芯片,瞄准特殊型SSD应用,以及需要高速读写的大型资料库储存、伺服器快取(caching)等应用。

  存储器业者指出,近期慧荣与IM Flash阵营在NAND Flash技术研发已有重大突破,不仅与美光合作SATA III介面SSD控制芯片,更传出与英特尔合作PCI Express(PCIe)介面SSD控制芯片,预计2016年问世,正好赶上PCIe介面SSD跃上主流产品列车。

  事实上,用来取代DRAM和NAND Flash芯片的新式存储器技术,包括架构及材料一直是各厂高度机密。目前DRAM技术发展到20纳米制程,三星率先进入量产,SK海力士及美光旗下华亚科2015年下半才会放量,业者原本认为20纳米是DRAM技术极限,但各厂都在研发1x纳米DRAM技术,由于制程技术更困难,投入金额更庞大,让业者感受到DRAM技术已濒临极限。

  至于NAND Flash技术则已转进3D架构,东芝和新帝阵营宣布3D NAND技术进入48层堆叠,取代原本仅16层和32层堆叠的3D NAND技术,可储存更多资料,预计2016年上半送样给客户;至于三星电子亦预计2016年推出48层堆叠3D NAND技术。目前看来IM Flash阵营在新式存储器发展稍微领先,3D NAND技术阵营恐将被迫加速开发时程。

(责任编辑:admin)
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